频带： 2.7~3.5GHz   接收噪声系数：1.6dB   接收增益：27dB   接收驻波比：1.9/1.2    接收输出P1dB：10dBm   接收端供电：+5V@45mA   发射增益：29dB   发射驻波比：1.7/1.6    发射P1dB：28dBm@5V，31dBm@8V   发射供电：+5V@490mA，+8V@700mA    芯片尺寸：3.0mm×3.0mm×0.1mm

GT-TR207305是一款GaAs MMIC收发集成芯片，其频率范围覆盖2.7~3.5GHz，接收噪声系数典型值小于1.6dB，发射P1dB功率可达到31dBm。

电参数：( TA=25℃，Vd=+5V，VD1=VD2=5V/8V，VG=-0.7V，根据静态电流微调)

操作注意事项

存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在氮气环境下保存。

清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理。

静电防护：请严格遵守ESD防护要求，避免器件静电损伤。

常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。

装架操作：芯片安装可采用AuSn焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺。安装面必须清洁平整。

键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。热超声键合温度150°C。球形键合劈刀压力40~50gf，楔形键合劈刀压力18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板）。